CTLDM304P-M832DS TR

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CTLDM304P-M832DS TR

EXSHINE Artikelnummer:EX-CTLDM304P-M832DS TR
Hersteller Artikelnummer:CTLDM304P-M832DS TR
Hersteller / Marke:Central Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:CTLDM304P-M832DS
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
CTLDM304P-M832DS TR
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TLM832DS
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 4.2A, 10V
Leistung - max 1.65W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-TDFN Exposed Pad
Andere Namen CTLDM304P-M832DS TR LEAD FREE
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 6 Weeks
Hersteller-Teilenummer CTLDM304P-M832DS TR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 4.5V
Typ FET 2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal Standard
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.2A 1.65W Surface Mount TLM832DS
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.2A

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen CTLDM304P-M832DS TR LEAD FREE

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Distributor von Central Semiconductor Corp

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