CTLDM7120-M621H TR

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-CTLDM7120-M621H TR
Hersteller Artikelnummer:	CTLDM7120-M621H TR
Hersteller / Marke:	Central Semiconductor
Kurze Beschreibung:	MOSFET N-CH 20V 1A
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	CTLDM7120-M621H
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

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CTLDM7120-M621H TR
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Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Vgs (Max)	8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TLM621H
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.6W (Ta)
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	6-XFDFN Exposed Pad
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	6 Weeks
Hersteller-Teilenummer	CTLDM7120-M621H TR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Expanded Beschreibung	N-Channel 20V 1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount TLM621H
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 1A
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1A (Ta)

Andere

Standardpaket	3,000

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