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DB102G

EXSHINE Artikelnummer:EX-DB102G
Hersteller Artikelnummer:DB102G
Hersteller / Marke:GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung:DIODE BRIDGE 100V 1A DB
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:DB101G~104GDB(S);MDBS;WOM Pkg Drawing
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
DB102G
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Produktparameter

Spannung - Spitzensperr- (max) 100V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A
Technologie Standard
Supplier Device-Gehäuse DB
Serie -
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Andere Namen DB102GGN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 4 Weeks
Hersteller-Teilenummer DB102G
Expanded Beschreibung Bridge Rectifier Single Phase 100V 1A Through Hole DB
Diodentyp Single Phase
Beschreibung DIODE BRIDGE 100V 1A DB
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10µA @ 100V
Strom - Richt (Io) 1A

Andere

Andere Namen DB102GGN
Standardpaket 2,500

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Distributor von GeneSiC Semiconductor

- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.

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