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DB103G
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-DB103G |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | DB103G |
| Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | DIODE BRIDGE 200V 1A DB |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | 1 |
| Datenblatt herunterladen: | DB101G~104GDB(S);MDBS;WOM Pkg Drawing |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
DB103G
Auf Lager: 45531000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| Spannung - Spitzensperr- (max) | 200V |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Technologie | Standard |
| Supplier Device-Gehäuse | DB |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
| Andere Namen | 1242-1210 DB103GGN DB103GGN-ND |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 4 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | DB103G |
| Expanded Beschreibung | Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Through Hole DB |
| Diodentyp | Single Phase |
| Beschreibung | DIODE BRIDGE 200V 1A DB |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 200V |
| Strom - Richt (Io) | 1A |
Andere
| Standardpaket | 2,500 |
|---|---|
| Andere Namen | 1242-1210 DB103GGN DB103GGN-ND |
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Distributor von GeneSiC Semiconductor
- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.