GA20JT12-263

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GA20JT12-263

EXSHINE Artikelnummer:EX-GA20JT12-263
Hersteller Artikelnummer:GA20JT12-263
Hersteller / Marke:GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung:TRANS SJT 1200V 45A
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:GA20JT12-263
Anwendung:-
Gewicht:-
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GA20JT12-263
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id -
Vgs (Max) 3.44V
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Supplier Device-Gehäuse -
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 20A
Verlustleistung (max) 282W (Tc)
Verpackung -
Verpackung / Gehäuse -
Andere Namen 1242-1189
GA20JT12-247ISO
GA20JT12247ISO
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart -
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 18 Weeks
Hersteller-Teilenummer GA20JT12-263
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3091pF @ 800V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Typ FET -
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung 1200V (1.2kV) 45A (Tc) 282W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
Beschreibung TRANS SJT 1200V 45A
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45A (Tc)

Andere

Standardpaket 50
Andere Namen 1242-1189

GA20JT12-247ISO

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Distributor von GeneSiC Semiconductor

- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.

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