EXSHINE Artikelnummer: | EX-GA20SICP12-247 |
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Hersteller Artikelnummer: | GA20SICP12-247 |
Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Kurze Beschreibung: | TRANS SJT 1200V 45A TO247 |
Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Bedingung: | New and unused, Original |
Datenblatt herunterladen: | GA20SICP12-247 |
Anwendung: | - |
Gewicht: | - |
Alternativer Ersatz: | - |
VGS (th) (Max) @ Id | - |
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Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247AB |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 20A |
Verlustleistung (max) | 282W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 18 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | GA20SICP12-247 |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3091pF @ 800V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Typ FET | - |
FET-Merkmal | - |
Expanded Beschreibung | 1200V (1.2kV) 45A (Tc) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Beschreibung | TRANS SJT 1200V 45A TO247 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 45A (Tc) |
Standardpaket | 50 |
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- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.