EXSHINE Artikelnummer: | EX-GAP05SLT80-220 |
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Hersteller Artikelnummer: | GAP05SLT80-220 |
Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Kurze Beschreibung: | DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL |
Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Bedingung: | 1 |
Datenblatt herunterladen: | GAP05SLT80-220 |
Anwendung: | - |
Gewicht: | - |
Alternativer Ersatz: | - |
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 4.6V @ 50mA |
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Spannung - Sperr (Vr) (max) | 8000V (8kV) |
Supplier Device-Gehäuse | - |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 0ns |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | Axial |
Andere Namen | 1242-1257 |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 18 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | GAP05SLT80-220 |
Expanded Beschreibung | Diode Silicon Carbide Schottky 8000V (8kV) 50mA (DC) Through Hole |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 3.8µA @ 8000V |
Strom - Richt (Io) | 50mA (DC) |
Kapazität @ Vr, F | 25pF @ 1V, 1MHz |
Andere Namen | 1242-1257 |
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Standardpaket | 10 |
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- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.