GAP3SLT33-214

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GAP3SLT33-214

EXSHINE Artikelnummer:EX-GAP3SLT33-214
Hersteller Artikelnummer:GAP3SLT33-214
Hersteller / Marke:GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung:DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:GAP3SLT33-214 Datasheet
Anwendung:-
Gewicht:-
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GAP3SLT33-214
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Produktparameter

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 2.2V @ 300mA
Spannung - Sperr (Vr) (max) 3300V (3.3kV)
Supplier Device-Gehäuse DO-214AA
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0ns
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse DO-214AA, SMB
Andere Namen 1242-1172-2
GAP3SLT33214
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 18 Weeks
Hersteller-Teilenummer GAP3SLT33-214
Expanded Beschreibung Diode Silicon Carbide Schottky 3300V (3.3kV) 300mA (DC) Surface Mount DO-214AA
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10µA @ 3300V
Strom - Richt (Io) 300mA (DC)
Kapazität @ Vr, F 42pF @ 1V, 1MHz

Andere

Andere Namen 1242-1172-2

GAP3SLT33214
Standardpaket 500

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Distributor von GeneSiC Semiconductor

- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.

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