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74FCT3244APYG

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74FCT3244APYG

EXSHINE Artikelnummer:EX-74FCT3244APYG
Hersteller Artikelnummer:74FCT3244APYG
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC BUFF/DVR DUAL N-INV 20SSOP
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IDT74FCT3244/A
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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Produktparameter

Spannungsversorgung 2.7 V ~ 3.6 V
Supplier Device-Gehäuse 20-SSOP
Serie 74FCT
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
Ausgabetyp Push-Pull
Andere Namen 800-2617-5
IDT74FCT3244APYG
IDT74FCT3244APYG-ND
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Anzahl der Elemente 2
Anzahl der Bits pro Element 4
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Hersteller-Teilenummer 74FCT3244APYG
Logiktyp Buffer, Non-Inverting
Eingabetyp -
Expanded Beschreibung Buffer, Non-Inverting Element 4 Bit per Element Push-Pull Output 20-SSOP
Beschreibung IC BUFF/DVR DUAL N-INV 20SSOP
Strom - hoch, niedrig 8mA, 24mA

Andere

Standardpaket 64
Andere Namen 800-2617-5

IDT74FCT3244APYG

IDT74FCT3244APYG-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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