82P2281PFG8

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-82P2281PFG8
Hersteller Artikelnummer:	82P2281PFG8
Hersteller / Marke:	IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:	IC TXRX SGL T1/E1/J1 80TQFP
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	IDT82P2281
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

Echtzeitverfügbarkeit für

82P2281PFG8
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
Zahlung
Versand
Verpackung

Produktparameter

Spannungsversorgung	3 V ~ 3.6 V
Supplier Device-Gehäuse	80-TQFP (14x14)
Serie	-
Leistung (W)	-
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	80-LQFP
Andere Namen	800-1700-2 IDT82P2281PFG8
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C
Zahl der Schaltkreise	1
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	17 Weeks
Hersteller-Teilenummer	82P2281PFG8
Schnittstelle	SPI
Enthält	-
Funktion	-
Expanded Beschreibung	Telecom IC 80-TQFP (14x14)
Beschreibung	IC TXRX SGL T1/E1/J1 80TQFP
Strom - Versorgung	1.15A

Andere

Standardpaket	750
Andere Namen	800-1700-2 IDT82P2281PFG8

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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