82P2282PFG

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-82P2282PFG
Hersteller Artikelnummer:	82P2282PFG
Hersteller / Marke:	IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:	IC TXRX T1/J1/E1 2CH 100TQFP
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	IDT82P2282
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

Echtzeitverfügbarkeit für

82P2282PFG
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Versand
Verpackung

Produktparameter

Spannungsversorgung	3 V ~ 3.6 V
Supplier Device-Gehäuse	100-TQFP (14x20)
Serie	-
Leistung (W)	-
Verpackung	Tray
Verpackung / Gehäuse	100-LQFP
Andere Namen	IDT82P2282PFG IDT82P2282PFG-ND
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C
Zahl der Schaltkreise	2
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	17 Weeks
Hersteller-Teilenummer	82P2282PFG
Schnittstelle	SPI
Enthält	-
Funktion	Transceiver
Expanded Beschreibung	Telecom IC Transceiver 100-TQFP (14x20)
Beschreibung	IC TXRX T1/J1/E1 2CH 100TQFP
Strom - Versorgung	-

Andere

Andere Namen	IDT82P2282PFG IDT82P2282PFG-ND
Standardpaket	15

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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