8302AM-01LFT

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8302AM-01LFT

EXSHINE Artikelnummer:EX-8302AM-01LFT
Hersteller Artikelnummer:8302AM-01LFT
Hersteller / Marke:IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:IC CLK BUFFER 1:2 250MHZ 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:8302AM-01LFT
Anwendung:-
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Produktparameter

Spannungsversorgung 3.135 V ~ 3.465 V
Art Fanout Buffer (Distribution)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC
Serie -
Verhältnis - Eingang: Ausgang 1:2
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ausgabe LVCMOS, LVTTL
Andere Namen ICS8302AM-01LFT
ICS8302AM-01LFT-ND
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C
Zahl der Schaltkreise 1
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer 8302AM-01LFT
Eingang LVCMOS, LVTTL
Frequenz - Max 250MHz
Expanded Beschreibung Clock Fanout Buffer (Distribution) IC 250MHz 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Differenzial - Eingang: Ausgang No/Yes
Beschreibung IC CLK BUFFER 1:2 250MHZ 8SOIC

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen ICS8302AM-01LFT

ICS8302AM-01LFT-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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