89HPES12T3G2ZBBC

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-89HPES12T3G2ZBBC
Hersteller Artikelnummer:	89HPES12T3G2ZBBC
Hersteller / Marke:	IDT (Integrated Device Technology)
Kurze Beschreibung:	IC PCIE GEN2 SW 12LANE 324BGA
Bleifreier Status / RoHS Status:	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	IDT89HPES12T3G2 IDT89HPES12T3G2 User Manual IDT89HPES12T3G2 Product Brief
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

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89HPES12T3G2ZBBC
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Produktparameter

Spannungsversorgung	3.3V
Supplier Device-Gehäuse	324-CABGA (19x19)
Serie	PRECISE™
Verpackung	Tray
Verpackung / Gehäuse	324-LBGA
Andere Namen	IDT89HPES12T3G2ZBBC IDT89HPES12T3G2ZBBC-ND
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	10 Weeks
Hersteller-Teilenummer	89HPES12T3G2ZBBC
Schnittstelle	PCI Express
Expanded Beschreibung	Switch Interfacing Interface 324-CABGA (19x19)
Beschreibung	IC PCIE GEN2 SW 12LANE 324BGA
Anwendungen	Switch Interfacing

Andere

Standardpaket	84
Andere Namen	IDT89HPES12T3G2ZBBC IDT89HPES12T3G2ZBBC-ND

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Distributor von IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ist ein Technologieführer, der integrierte Hochleistungsschaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte entwickelt, entwickelt und vertreibt: (i) Automobil, (ii) Kommunikation, (iii) digitaler Verbraucher und ( iv) industriell und medizinisch. Ihre Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringer Leistung sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte. Das Unternehmen entwickelt und vertreibt auch NOR-Flash-Produkte und leistungsstarke analoge und Mixed-Signal-ICs. Sie adressieren mit unseren kostengünstigen und qualitativ hochwertigen Halbleiterprodukten wachstumsstarke Märkte und streben langfristige Beziehungen zu unseren Kunden an. Sie waren ein engagierter langfristiger Lieferant von Speicherprodukten, einschließlich Produkten mit geringerer Dichte und kleinerem Volumen, selbst in Zeiten enger Fertigungskapazitäten.

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