IXTP1N80P

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IXTP1N80P

EXSHINE Artikelnummer:EX-IXTP1N80P
Hersteller Artikelnummer:IXTP1N80P
Hersteller / Marke:IXYS Corporation
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 800V 1A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:INTx1N80P
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
IXTP1N80P
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB
Serie Polar™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max) 42W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 8 Weeks
Hersteller-Teilenummer IXTP1N80P
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 800V 1A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220AB
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 1A TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Tc)

Andere

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Distributor von IXYS

- IXYS Integrated Circuits Division, ehemals Clare, Inc., ein Unternehmen der IXYS, entwickelt, fertigt und vermarktet integrierte Hochspannungsschaltkreise (ICs) und optisch isolierte Halbleiterrelais (OptoMOS®) für Kommunikation, Industrie, Energie und Verbraucher Märkte.
Als Vorreiter bei der Entwicklung von Halbleiterrelais (Solid State Relays, SSR) haben sie sich zu einem führenden Anbieter in den Branchen Telekommunikation, Sicherheit, Versorgungsmessung und Industriesteuerung entwickelt. IXYS Integrated Circuits Division SSR-Lösungen ersetzen in vielen Anwendungen schnell ältere elektromechanische Geräte und verbessern die Gesamtsystemleistung. Sie entwickeln weiterhin führende Produkte, die ein höheres Maß an Integration und elektrischer Leistung bieten.

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