IXTP1R6N100D2

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IXTP1R6N100D2

EXSHINE Artikelnummer:EX-IXTP1R6N100D2
Hersteller Artikelnummer:IXTP1R6N100D2
Hersteller / Marke:IXYS Corporation
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IXT(Y,A,P)1R6N100D2
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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IXTP1R6N100D2
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id -
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 800mA, 0V
Verlustleistung (max) 100W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 8 Weeks
Hersteller-Teilenummer IXTP1R6N100D2
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 645pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 5V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal Depletion Mode
Expanded Beschreibung N-Channel 1000V (1kV) 1.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V (1kV)
Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.6A (Tc)

Andere

Standardpaket 50

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Distributor von IXYS

- IXYS Integrated Circuits Division, ehemals Clare, Inc., ein Unternehmen der IXYS, entwickelt, fertigt und vermarktet integrierte Hochspannungsschaltkreise (ICs) und optisch isolierte Halbleiterrelais (OptoMOS®) für Kommunikation, Industrie, Energie und Verbraucher Märkte.
Als Vorreiter bei der Entwicklung von Halbleiterrelais (Solid State Relays, SSR) haben sie sich zu einem führenden Anbieter in den Branchen Telekommunikation, Sicherheit, Versorgungsmessung und Industriesteuerung entwickelt. IXYS Integrated Circuits Division SSR-Lösungen ersetzen in vielen Anwendungen schnell ältere elektromechanische Geräte und verbessern die Gesamtsystemleistung. Sie entwickeln weiterhin führende Produkte, die ein höheres Maß an Integration und elektrischer Leistung bieten.

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