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BSC0501NSIATMA1
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-BSC0501NSIATMA1 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | BSC0501NSIATMA1 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | BSC0501NSI |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
BSC0501NSIATMA1
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen | SP001288140 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | BSC0501NSIATMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | Schottky Diode (Body) |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 30V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 29A (Ta), 100A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 5,000 |
|---|---|
| Andere Namen | SP001288140 |
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