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BSC050N03LSGATMA1
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-BSC050N03LSGATMA1 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | BSC050N03LSGATMA1 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | BSC050N03LS G |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
BSC050N03LSGATMA1
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Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Verpackung | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen | BSC050N03LSGATMA1DKR-NDTR-ND BSC050N03LSGINDKR BSC050N03LSGINDKR-ND |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | BSC050N03LSGATMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 30V 18A (Ta), 80A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Ta), 80A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 1 |
|---|---|
| Andere Namen | BSC050N03LSGATMA1DKR-NDTR-ND BSC050N03LSGINDKR BSC050N03LSGINDKR-ND |
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