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IPG20N04S4L08ATMA1
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IPG20N04S4L08ATMA1 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IPG20N04S4L08ATMA1 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IPG20N04S4L-08 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IPG20N04S4L08ATMA1
Auf Lager: 52515000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 22µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8-4 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 17A, 10V |
| Leistung - max | 54W |
| Verpackung | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
| Andere Namen | IPG20N04S4L08ATMA1DKR |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 26 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | IPG20N04S4L08ATMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3050pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 54W Surface Mount PG-TDSON-8-4 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A |
Andere
| Standardpaket | 1 |
|---|---|
| Andere Namen | IPG20N04S4L08ATMA1DKR |
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