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IPG20N06S2L35AATMA1
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IPG20N06S2L35AATMA1 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IPG20N06S2L35AATMA1 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IPG20N06S2L-35A |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IPG20N06S2L35AATMA1
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 27µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8-10 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 15A, 10V |
| Leistung - max | 65W |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
| Andere Namen | IPG20N06S2L35AATMA1-ND IPG20N06S2L35AATMA1TR SP001023838 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 26 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | IPG20N06S2L35AATMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 2A (Tc) 65W Surface Mount PG-TDSON-8-10 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 5,000 |
|---|---|
| Andere Namen | IPG20N06S2L35AATMA1-ND IPG20N06S2L35AATMA1TR SP001023838 |
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