EXSHINE Artikelnummer: | EX-IRF8910GPBF |
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Hersteller Artikelnummer: | IRF8910GPBF |
Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
Kurze Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO |
Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Bedingung: | New and unused, Original |
Datenblatt herunterladen: | IRF8910GPBF |
Anwendung: | - |
Gewicht: | - |
Alternativer Ersatz: | - |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
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Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
Leistung - max | 2W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andere Namen | SP001570668 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer | IRF8910GPBF |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 960pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Expanded Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A |
Standardpaket | 95 |
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Andere Namen | SP001570668 |
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