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IRF8910TRPBF
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IRF8910TRPBF |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IRF8910TRPBF |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IRF8910PbF |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IRF8910TRPBF
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
| Leistung - max | 2W |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen | IRF8910PBFTR IRF8910TRPBF-ND IRF8910TRPBFTR-ND SP001555820 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | IRF8910TRPBF |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 960pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A |
Andere
| Standardpaket | 4,000 |
|---|---|
| Andere Namen | IRF8910PBFTR IRF8910TRPBF-ND IRF8910TRPBFTR-ND SP001555820 |
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