IRL1004PBF

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IRL1004PBF

EXSHINE Artikelnummer:EX-IRL1004PBF
Hersteller Artikelnummer:IRL1004PBF
Hersteller / Marke:Infineon Technologies
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IRL1004PbF
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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IRL1004PBF
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB
Serie HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 78A, 10V
Verlustleistung (max) 200W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Andere Namen *IRL1004PBF
SP001567104
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 14 Weeks
Hersteller-Teilenummer IRL1004PBF
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5330pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 4.5V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 40V 130A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc)

Andere

Standardpaket 50
Andere Namen *IRL1004PBF

SP001567104

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