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IRL1004S
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IRL1004S |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IRL1004S |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IRL1004S, IRL1004L |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IRL1004S
Auf Lager: 44374 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 78A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen | *IRL1004S |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | IRL1004S |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5330pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 4.5V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 40V 130A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 130A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 50 |
|---|---|
| Andere Namen | *IRL1004S |
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