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EM6M2T2R
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-EM6M2T2R |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | EM6M2T2R |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | 1 |
| Datenblatt herunterladen: | EM6M2 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
EM6M2T2R
Auf Lager: 16312000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | EMT6 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 200mA, 4V |
| Leistung - max | 150mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen | EM6M2T2R-ND EM6M2T2RTR |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | EM6M2T2R |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Typ FET | N and P-Channel |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array N and P-Channel 20V 200mA 150mW Surface Mount EMT6 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 200mA |
Andere
| Standardpaket | 8,000 |
|---|---|
| Andere Namen | EM6M2T2R-ND EM6M2T2RTR |
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Distributor von Rohm Semiconductor
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