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EMZ8T2R
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-EMZ8T2R |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | EMZ8T2R |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | TRANS NPN/PNP 50V/12V 6EMT |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | EMZ8,UMZ8N |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
EMZ8T2R
Auf Lager: 17281000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V, 12V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Transistor-Typ | NPN, PNP |
| Supplier Device-Gehäuse | EMT6 |
| Serie | - |
| Leistung - max | 150mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | EMZ8T2R |
| Frequenz - Übergang | 180MHz, 260MHz |
| Expanded Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V, 12V 150mA, 500mA 180MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP 50V/12V 6EMT |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 150mA, 500mA |
Andere
| Standardpaket | 8,000 |
|---|
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