QS5U28TR

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QS5U28TR

EXSHINE Artikelnummer:EX-QS5U28TR
Hersteller Artikelnummer:QS5U28TR
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:QS5U28
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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QS5U28TR
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Vgs (Max) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TSMT5
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 2A, 4.5V
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer QS5U28TR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.8nC @ 4.5V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)
Expanded Beschreibung P-Channel 20V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT5
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta)

Andere

Standardpaket 3,000

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