QS5U36TR

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QS5U36TR

EXSHINE Artikelnummer:EX-QS5U36TR
Hersteller Artikelnummer:QS5U36TR
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:QS5U36
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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QS5U36TR
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA
Vgs (Max) ±10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TSMT5
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 81 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer QS5U36TR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 4.5V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)
Expanded Beschreibung N-Channel 20V 2.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT5
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta)

Andere

Standardpaket 3,000

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