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QS8J2TR
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-QS8J2TR |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | QS8J2TR |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | QS8J2 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
QS8J2TR
Auf Lager: 32191000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | TSMT8 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Leistung - max | 550mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | QS8J2TR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1940pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Typ FET | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4A 550mW Surface Mount TSMT8 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A |
Andere
| Standardpaket | 3,000 |
|---|
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