QS8K11TCR

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QS8K11TCR

EXSHINE Artikelnummer:EX-QS8K11TCR
Hersteller Artikelnummer:QS8K11TCR
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:QS8K11
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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QS8K11TCR
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse TSMT8
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 3.5A, 10V
Leistung - max 1.5W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead
Andere Namen QS8K11TCRTR
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer QS8K11TCR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.3nC @ 5V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A

Andere

Andere Namen QS8K11TCRTR
Standardpaket 3,000

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