R6020ANJTL

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R6020ANJTL

EXSHINE Artikelnummer:EX-R6020ANJTL
Hersteller Artikelnummer:R6020ANJTL
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:R6020ANJ
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
R6020ANJTL
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse LPTS
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max) 100W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SC-83
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer R6020ANJTL
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2040pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 600V 20A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Beschreibung MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta)

Andere

Standardpaket 1,000

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