R6020FNJTL

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R6020FNJTL

EXSHINE Artikelnummer:EX-R6020FNJTL
Hersteller Artikelnummer:R6020FNJTL
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:R6020FNJ
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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R6020FNJTL
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100+:
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250+:
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse LPTS
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max) 50W (Tc)
Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse SC-83
Andere Namen R6020FNJTLDKR
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 17 Weeks
Hersteller-Teilenummer R6020FNJTL
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 600V 20A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount LPTS
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)

Andere

Andere Namen R6020FNJTLDKR
Standardpaket 1

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