RF081L2STE25

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RF081L2STE25

EXSHINE Artikelnummer:EX-RF081L2STE25
Hersteller Artikelnummer:RF081L2STE25
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:RF081L2S
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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RF081L2STE25
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Produktparameter

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 980mV @ 1.1A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 200V
Supplier Device-Gehäuse PMDS
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 25ns
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse DO-214AC, SMA
Andere Namen RF081L2STE25TR
Betriebstemperatur - Anschluss 150°C (Max)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 20 Weeks
Hersteller-Teilenummer RF081L2STE25
Expanded Beschreibung Diode Standard 200V 1A Surface Mount PMDS
Diodentyp Standard
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10µA @ 200V
Strom - Richt (Io) 1A
Kapazität @ Vr, F -

Andere

Andere Namen RF081L2STE25TR
Standardpaket 1,500

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