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RF081M2STR
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-RF081M2STR |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | RF081M2STR |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | 1 |
| Datenblatt herunterladen: | RF081M2S |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
RF081M2STR
Auf Lager: 42167000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 800mA |
|---|---|
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200V |
| Supplier Device-Gehäuse | PMDU |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 25ns |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SOD-123 |
| Betriebstemperatur - Anschluss | 150°C (Max) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | RF081M2STR |
| Expanded Beschreibung | Diode Standard 200V 800mA Surface Mount PMDU |
| Diodentyp | Standard |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 200V |
| Strom - Richt (Io) | 800mA |
| Kapazität @ Vr, F | - |
Andere
| Standardpaket | 3,000 |
|---|
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