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RGTH00TS65DGC11
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-RGTH00TS65DGC11 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | RGTH00TS65DGC11 |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | IGBT 650V 85A 277W TO-247N |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | RGTH00TS65D |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
RGTH00TS65DGC11
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650V |
|---|---|
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Testbedingung | 400V, 50A, 10 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 39ns/143ns |
| Schaltenergie | - |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247N |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 54ns |
| Leistung - max | 277W |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 15 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | RGTH00TS65DGC11 |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung | 94nC |
| Expanded Beschreibung | IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N |
| Beschreibung | IGBT 650V 85A 277W TO-247N |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 85A |
Andere
| Standardpaket | 30 |
|---|
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