RGTH80TS65DGC11

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RGTH80TS65DGC11

EXSHINE Artikelnummer:EX-RGTH80TS65DGC11
Hersteller Artikelnummer:RGTH80TS65DGC11
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:IGBT 650V 70A 234W TO-247N
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:RGTH80TS65D
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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RGTH80TS65DGC11
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250+:
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1000+:
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2500+:
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5000+:
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A
Testbedingung 400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 34ns/120ns
Schaltenergie -
Supplier Device-Gehäuse TO-247N
Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 58ns
Leistung - max 234W
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 15 Weeks
Hersteller-Teilenummer RGTH80TS65DGC11
Eingabetyp Standard
IGBT-Typ Trench Field Stop
Gate-Ladung 79nC
Expanded Beschreibung IGBT Trench Field Stop 650V 70A 234W Through Hole TO-247N
Beschreibung IGBT 650V 70A 234W TO-247N
Strom - Collector Pulsed (Icm) 160A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 70A

Andere

Standardpaket 30

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