SCT2120AFC

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SCT2120AFC

EXSHINE Artikelnummer:EX-SCT2120AFC
Hersteller Artikelnummer:SCT2120AFC
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:SCT2120AF Datasheet
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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SCT2120AFC
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250+:
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 3.3mA
Vgs (Max) +22V, -6V
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 10A, 18V
Verlustleistung (max) 165W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 18 Weeks
Hersteller-Teilenummer SCT2120AFC
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 500V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 18V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 650V 29A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220AB
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc)

Andere

Standardpaket 1,000

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