EXSHINE Artikelnummer: | EX-SCT2120AFC |
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Hersteller Artikelnummer: | SCT2120AFC |
Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB |
Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Bedingung: | 1 |
Datenblatt herunterladen: | SCT2120AF Datasheet |
Anwendung: | - |
Gewicht: | - |
Alternativer Ersatz: | - |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 3.3mA |
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Vgs (Max) | +22V, -6V |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156 mOhm @ 10A, 18V |
Verlustleistung (max) | 165W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 18 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | SCT2120AFC |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 500V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 18V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Expanded Beschreibung | N-Channel 650V 29A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 29A (Tc) |
Standardpaket | 1,000 |
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