SCT2160KEC

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SCT2160KEC

EXSHINE Artikelnummer:EX-SCT2160KEC
Hersteller Artikelnummer:SCT2160KEC
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:SCT2160KE
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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SCT2160KEC
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250+:
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Vgs (Max) +22V, -6V
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device-Gehäuse TO-247
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 208 mOhm @ 7A, 18V
Verlustleistung (max) 165W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 18 Weeks
Hersteller-Teilenummer SCT2160KEC
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 800V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 18V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 1200V (1.2kV) 22A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc)

Andere

Standardpaket 360

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