APT65GP60B2G

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APT65GP60B2G

EXSHINE Artikelnummer:EX-APT65GP60B2G
Hersteller Artikelnummer:APT65GP60B2G
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:IGBT 600V 100A 833W TMAX
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:APT65GP60B2
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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APT65GP60B2G
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 65A
Testbedingung 400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 30ns/91ns
Schaltenergie 605µJ (on), 896µJ (off)
Serie POWER MOS 7®
Leistung - max 833W
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer APT65GP60B2G
Eingabetyp Standard
IGBT-Typ PT
Gate-Ladung 210nC
Expanded Beschreibung IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
Beschreibung IGBT 600V 100A 833W TMAX
Strom - Collector Pulsed (Icm) 250A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100A

Andere

Standardpaket 30

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