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APT65GP60L2DQ2G

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APT65GP60L2DQ2G

EXSHINE Artikelnummer:EX-APT65GP60L2DQ2G
Hersteller Artikelnummer:APT65GP60L2DQ2G
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:IGBT 600V 198A 833W TO264
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:APT65GP60L2DQ2(G)
Anwendung:-
Gewicht:-
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APT65GP60L2DQ2G
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 65A
Testbedingung 400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 30ns/90ns
Schaltenergie 605µJ (on), 895µJ (off)
Serie POWER MOS 7®
Leistung - max 833W
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA
Andere Namen APT65GP60L2DQ2GMI
APT65GP60L2DQ2GMI-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer APT65GP60L2DQ2G
Eingabetyp Standard
IGBT-Typ PT
Gate-Ladung 210nC
Expanded Beschreibung IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
Beschreibung IGBT 600V 198A 833W TO264
Strom - Collector Pulsed (Icm) 250A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 198A

Andere

Andere Namen APT65GP60L2DQ2GMI

APT65GP60L2DQ2GMI-ND
Standardpaket 25

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Distributor von Microsemi Corporation

- Micro / sys bietet eine breite Palette an Prozessoroptionen, von kostengünstigen 80C188-basierten Computern über Pentium-basierte Kraftpakete bis hin zu Peripheriegeräten und I / O-Produkten.

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