APT66F60B2

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APT66F60B2

EXSHINE Artikelnummer:EX-APT66F60B2
Hersteller Artikelnummer:APT66F60B2
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 70A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:APT66F60B2,60L
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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APT66F60B2
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100+:
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250+:
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse T-MAX™ [B2]
Serie POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 33A, 10V
Verlustleistung (max) 1135W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 22 Weeks
Hersteller-Teilenummer APT66F60B2
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13190pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 70A TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc)

Andere

Standardpaket 30

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