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APT66M60L
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-APT66M60L |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | APT66M60L |
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | APT66M60(B2,L) |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
APT66M60L
Auf Lager: 33290 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-264 [L] |
| Serie | POWER MOS 8™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 33A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1135W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-264-3, TO-264AA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 22 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | APT66M60L |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13190pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264 [L] |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 70A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 25 |
|---|
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Distributor von Microsemi Corporation
- Micro / sys bietet eine breite Palette an Prozessoroptionen, von kostengünstigen 80C188-basierten Computern über Pentium-basierte Kraftpakete bis hin zu Peripheriegeräten und I / O-Produkten.
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