APT6M100K

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APT6M100K

EXSHINE Artikelnummer:EX-APT6M100K
Hersteller Artikelnummer:APT6M100K
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:APT6M100KPower Products Catalog
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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APT6M100K
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220 [K]
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max) 225W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Andere Namen APT6M100KMI
APT6M100KMI-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer APT6M100K
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1410pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 1000V (1kV) 6A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V (1kV)
Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc)

Andere

Standardpaket 50
Andere Namen APT6M100KMI

APT6M100KMI-ND

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