APT68GA60B2D40

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APT68GA60B2D40

EXSHINE Artikelnummer:EX-APT68GA60B2D40
Hersteller Artikelnummer:APT68GA60B2D40
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:IGBT 600V 121A 520W TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:APT68GA60x(2)D40
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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APT68GA60B2D40
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A
Testbedingung 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 21ns/133ns
Schaltenergie 715µJ (on), 607µJ (off)
Serie POWER MOS 8™
Leistung - max 520W
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 22 Weeks
Hersteller-Teilenummer APT68GA60B2D40
Eingabetyp Standard
IGBT-Typ PT
Gate-Ladung 198nC
Expanded Beschreibung IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole
Beschreibung IGBT 600V 121A 520W TO-247
Strom - Collector Pulsed (Icm) 202A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 121A

Andere

Standardpaket 30

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