APT66F60L

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APT66F60L

EXSHINE Artikelnummer:EX-APT66F60L
Hersteller Artikelnummer:APT66F60L
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:APT66F60B2,60L
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
APT66F60L
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

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Referenz-Marketingpreis: US$ 20.4

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Minimum:1

Vielfache:1

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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-264 [L]
Serie POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 33A, 10V
Verlustleistung (max) 1135W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 22 Weeks
Hersteller-Teilenummer APT66F60L
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13190pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc)

Andere

Standardpaket 25

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