APT70SM70B

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-APT70SM70B
Hersteller Artikelnummer:	APT70SM70B
Hersteller / Marke:	Microsemi
Kurze Beschreibung:	POWER MOSFET - SIC
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	APT70SM70B
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

Echtzeitverfügbarkeit für

APT70SM70B
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Verpackung

Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-247 [B]
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 32.5A, 20V
Verlustleistung (max)	300W (Tc)
Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	22 Weeks
Hersteller-Teilenummer	APT70SM70B
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	125nC @ 20V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Expanded Beschreibung	N-Channel 700V 65A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Drain-Source-Spannung (Vdss)	700V
Beschreibung	POWER MOSFET - SIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	65A (Tc)

Andere

Standardpaket	1

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