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APT70GR65B2SCD30

EXSHINE Artikelnummer:EX-APT70GR65B2SCD30
Hersteller Artikelnummer:APT70GR65B2SCD30
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:APT70GR65B2SCD30
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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APT70GR65B2SCD30
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 70A
Testbedingung 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 19ns/170ns
Supplier Device-Gehäuse T-MAX™ [B2]
Serie *
Leistung - max 595W
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse TO-247-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 22 Weeks
Hersteller-Teilenummer APT70GR65B2SCD30
IGBT-Typ NPT
Gate-Ladung 305nC
Expanded Beschreibung IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2]
Beschreibung INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Strom - Collector Pulsed (Icm) 260A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 134A

Andere

Standardpaket 1

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