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APTM10TDUM19PG
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-APTM10TDUM19PG |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | APTM10TDUM19PG |
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | APTM10TDUM19PG |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
APTM10TDUM19PG
Auf Lager: 73788 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | SP6-P |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 35A, 10V |
| Leistung - max | 208W |
| Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | SP6 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | APTM10TDUM19PG |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Typ FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET-Merkmal | Standard |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP6-P |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Beschreibung | MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 70A |
Andere
| Standardpaket | 1 |
|---|
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Distributor von Microsemi Corporation
- Micro / sys bietet eine breite Palette an Prozessoroptionen, von kostengünstigen 80C188-basierten Computern über Pentium-basierte Kraftpakete bis hin zu Peripheriegeräten und I / O-Produkten.
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