APTM10UM01FAG

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APTM10UM01FAG

EXSHINE Artikelnummer:EX-APTM10UM01FAG
Hersteller Artikelnummer:APTM10UM01FAG
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:APTM10UM01FAGPower Products Catalog
Anwendung:-
Gewicht:-
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APTM10UM01FAG
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 12mA
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SP6
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 275A, 10V
Verlustleistung (max) 2500W (Tc)
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SP6
Andere Namen APTM10UM01FAGMI
APTM10UM01FAGMI-ND
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 22 Weeks
Hersteller-Teilenummer APTM10UM01FAG
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2100nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 100V 860A 2500W (Tc) Chassis Mount SP6
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 860A

Andere

Standardpaket 1
Andere Namen APTM10UM01FAGMI

APTM10UM01FAGMI-ND

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