APTM120DA30CT1G

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-APTM120DA30CT1G
Hersteller Artikelnummer:	APTM120DA30CT1G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Kurze Beschreibung:	MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	APTM120DA30CT1G
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

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APTM120DA30CT1G
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen

Beschreibung
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Verpackung

Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SP1
Serie	POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)	657W (Tc)
Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP1
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	22 Weeks
Hersteller-Teilenummer	APTM120DA30CT1G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	14560pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	560nC @ 10V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Expanded Beschreibung	N-Channel 1200V (1.2kV) 31A 657W (Tc) Chassis Mount SP1
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1.2kV)
Beschreibung	MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	31A

Andere

Standardpaket	1

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