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APTM120DA56T1G

EXSHINE Artikelnummer:EX-APTM120DA56T1G
Hersteller Artikelnummer:APTM120DA56T1G
Hersteller / Marke:Microsemi
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:Power Products Catalog
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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APTM120DA56T1G
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SP1
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 672 mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (max) 390W (Tc)
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SP1
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer APTM120DA56T1G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7736pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 1200V (1.2kV) 18A 390W (Tc) Chassis Mount SP1
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A

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Standardpaket 1

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